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焊接技术在近年来的发展包括：1958年的电子束焊接能够加热面积很小的区域，使得深处和狭长形工件的焊接成为可能。其后激光焊接于1960年发明，在其后的几十年岁月中，它被证明是的高速自动焊接技术。
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1833年，英国科学家电子学法拉第发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的发现。 [3]
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以GaN（氮化）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED实现商品化生产成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上
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